电注入晶体硅氢钝化抗光衰减设备

A.   处理效果

    (1) 转化效率

• 常规多晶绝对效率平均提升≥0.05%；
• PERC多晶绝对效率平均提升≥0.1%；
• 常规单晶效率不降低；
• PERC单晶效率不降低;

(2) 光衰

• 常规单晶平均光衰率≤1.0%；
• PERC单晶平均光衰率≤1.5%；
• 常规多晶平均光衰率≤1.0%；
• PERC多晶平均光衰率不高于初始值的40%；

B.   产能

标准设备的产能满足：单轨≥3000片／小时；具体其他产能需求要根据客户的工艺方案决定。

  （注：最终技术指标以签署的技术协议为准）